论文过去qqge· cc
胡正明从1976年开始就在伯克利任教，一直邮箱就没有变过qqge· cc
从实际MOSFET晶体管出发，在复杂物理领域推演出数学模型，这是胡正明的得意之作qqge· cc
这篇发表自1985年的论文，被引用次数接近2000次，是他仅次于FinFETch架构的成果qqge· cc
在这个年代该数学模型被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一個且唯一的国际标准qqge· cc
从1985年发表该论文以来，一直有各种研究试图改进该模型qqge· cc
94年的时候有试图通过薄氮化氧化物来优化该模型的，95年有通过电子的热再发射来优化qqge· cc
但是这些研究都是通过物质层面，通过改变晶体管材料，来实现优化MOSFET晶体管的目的qqge· cc