第五章 承上启下的发现
更别说还要通过全英文作答ddtxt8· cc
“如果我没能通过考试呢？”周新在电话里反问道ddtxt8· cc
胡正明笑了笑：“只要你能够证明邮件是伱本人写的ddtxt8· cc
那么我也会帮你搞定转校和奖学金的事情ddtxt8· cc
只是说你需要来伯克利把本科没有上完的课程补完ddtxt8· cc”
作为半导体界教父级的人物，在伯克利呆了二十多年时间，想要帮学生搞定奖学金，用轻而易举来形容毫不夸张ddtxt8· cc
胡正明很欣赏周新，不仅仅是因为那封邮件，也是因为对方在沟通中表现出来的坦诚，以及这口流利的英语ddtxt8· cc
甚至在一些语气词里都和他一样ddtxt8· cc
周新在阿美利肯期间，主要沟通对象之一就是胡正明，口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的ddtxt8· cc
口语表达上二人当然会有相似之处ddtxt8· cc
周新在电话那头笑了笑：“好ddtxt8· cc”
“MOSFET模型可以将Em与所有器件参数和偏置电压相关联，描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途，你是如何想到通过电路仿真的预测性来对MOSFET进行互连建模？”
跨越数千公里的电话线，两头不仅仅是地理上的距离，更是时间上的距离ddtxt8· cc
周新发给胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的论文，发表在2000年的IEEE集成电路会议论文集上，在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八ddtxt8· cc
虽然排名不是很高，但是却起到了承上启下的作用ddtxt8· cc
胡正明最大的贡献是，将半导体的2D结构，研发优化出了3D结构，也就是FinFETddtxt8· cc
从1960年到2010年左右，基本的平面(2D)MOSFET结构一直保持不变，直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能ddtxt8· cc
胡正明在加州大学伯克利分校的实验室早在1995年就看到了这一点ddtxt8· cc
FinFET作为第一个3DMOSFET，将扁平而宽的晶体管结构变为高而窄的晶体管结构ddtxt8· cc好处是在更小的占地面积内获得更好的性能，就像在拥挤的城市中多层建筑相对于单层建筑的优势一样ddtxt8· cc
FinFET也就是所谓的薄体（thin-body）MOSFET，这一概念继续指导新设备的开发ddtxt8· cc
它源于这样一种认识，即电