流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制ddtxt8· cc
FinFET牢记这种薄体概念ddtxt8· cc该器件的主体是垂直的硅鳍片，被氧化物绝缘体和栅极金属覆盖，在强栅极控制范围之外没有留下任何硅ddtxt8· ccFinFET将漏电流降低了几个数量级，并降低了晶体管工作电压ddtxt8· cc它还指出了进一步改进的路径：进一步降低厚度ddtxt8· cc
而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制，这一概念，正是MOSFET进行互连建模在实验室进行复现后发现的ddtxt8· cc
周新不可能告诉胡正明，这是你自己发现的ddtxt8· cc
不过由于周新对于胡正明最重要的论文，都做过精读，对于当时是如何思考，有自己的分析ddtxt8· cc
这些分析和二十年后的老胡交流过程中，也获得了对方的认可ddtxt8· cc